退火爐

簡(jiǎn)要描述：退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法。該制程包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達(dá)到不同的效果?？梢约訜峋约せ顡诫s劑，使沉積的膜至密化，并改變生長(zhǎng)的膜的狀態(tài)。

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更新時(shí)間：2024-07-10
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等離子干蝕刻退火爐

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,電子

退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法。該制程包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達(dá)到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑，使沉積的膜至密化，并改變生長(zhǎng)的膜的狀態(tài)。暴露在高溫下可以修復(fù)損壞。該過(guò)程稱為退火。爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨(dú)處理。

退火爐技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
半導(dǎo)體。 MEMs。納米技術(shù)。 LED。太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)。平板顯示器。	通過(guò)使用加圈和水冷不銹鋼法蘭來(lái)控製石英管的溫度。爐管配置：水平，結(jié)合傳送機(jī)構(gòu)。帶有視窗的手動(dòng)爐門(mén)。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
石英管尺寸：最大12英寸。單載片或多載片（最多50個(gè)晶圓）。控制精度：<±1°C。製程氣體：N2、Ar、H2。最高溫度：最高1700°C。抽氣閥件前端會(huì)有冷凍捕捉器。易於清潔和維護(hù)。	和自動(dòng)傳送組成在一起。