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原子層蝕刻設(shè)備

簡要描述：原子層蝕刻設(shè)備是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。

  • 產(chǎn)品型號：
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間：2024-07-10
  • 訪  問  量：821

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子

原子層蝕刻設(shè)備介紹：

原子層蝕刻設(shè)備ALE）是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。

這就引起了人們對被稱為原子級蝕刻（ALE）的技術(shù)的關(guān)注，該技術(shù)克服了原子級常規(guī)蝕刻的局限性?；峨姖{的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過程，並具有去除單個(gè)薄膜層、極低的損壞率等優(yōu)點(diǎn)。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。

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原子層蝕刻設(shè)備參數(shù)：

應(yīng)用領(lǐng)域腔體

  • 矽化合物蝕刻SiO2、SiN4)。

  • 微機(jī)電系統(tǒng)。

  • 金屬、矽與光阻蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。

配置和優(yōu)點(diǎn)選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑可達(dá)12吋。

  • 蝕刻系統(tǒng)中，ICP、RIE、ALE與DRIE可在同一腔內(nèi)。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 具有高均勻氣體分佈的質(zhì)量流量控制器。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，將載臺(tái)加熱至200°C或冷卻至-20°C。

  • 使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達(dá)2000W，可增強(qiáng)低溫下的沉積。

  • 由於使用低能量進(jìn)行蝕刻，其損傷率也是較低的。

  • 基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。

  • 均勻的氣體擴(kuò)散，具有優(yōu)化的氣體分佈。

  • 靜電吸盤。

  • 蝕刻終點(diǎn)偵測（OES，激光）相容性。

  • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。






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