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磁控共濺鍍?cè)O(shè)備

簡(jiǎn)要描述:磁控共濺鍍?cè)O(shè)備是指同時(shí)有兩個(gè)或多個(gè)磁控濺鍍槍,濺鍍於被鍍物上。磁控共濺鍍主要用於-複合金屬或複合材料,通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍(靶材)的功率來控制薄膜品質(zhì),其薄膜厚度取決於濺鍍時(shí)間。

  • 產(chǎn)品型號(hào):
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-07-10
  • 訪  問  量:527

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子

磁控共濺鍍是指同時(shí)有兩個(gè)或多個(gè)磁控濺鍍槍,濺鍍於被鍍物上。磁控共濺鍍主要用於-複合金屬或複合材料,通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍(靶材)的功率來控制薄膜品質(zhì),其薄膜厚度取決於濺鍍時(shí)間。

SYSKEY的磁控共濺鍍?cè)O(shè)備提供了精準(zhǔn)控制多個(gè)磁控濺鍍的製程條件,為客戶提供最好品質(zhì)的複合式薄膜。

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SYSKEY磁控共濺鍍?cè)O(shè)備的濺鍍腔中,有單片和多片式的loading chamber,可節(jié)省其製程腔體的抽氣時(shí)間,進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時(shí)間。

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SYSKEY的濺鍍腔中,在載臺(tái)部分可獨(dú)立施打偏壓,對(duì)其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能。

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離子源可用於基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速率,並且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密。image.png


應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • 半導(dǎo)體類。

  • 納米科技。

  • 產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查。

  • 氧化物、氮化物和金屬材料的研究。

  • 太陽(yáng)能電池。

  • 光學(xué)研究。

  • 材料研究。

  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應(yīng)用。

  • 寬大的前開式門,並有兩個(gè)視窗和視窗遮版,

    用於觀察基材和濺鍍?cè)础?/span>

  • 具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計(jì)和用於壓力控制

    的Baratron真空計(jì)。

  • 腔體的極限真空度約10-8 Torr。

配置和優(yōu)點(diǎn)選件
  • 客製化基板尺寸,最大直徑可達(dá)12寸晶圓。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 磁控濺鍍?cè)矗ㄗ疃?個(gè)源),具有多種可選的

    靶材尺寸。

  • 具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍?cè)础?/span>

  • 射頻、直流或脈衝直流,分別用於非導(dǎo)電與

    導(dǎo)電靶材。

  • 精準(zhǔn)流量控制器(最多4條氣體管線)。

  • 基板可加熱到1000°C。

  • 基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的。

  • 每個(gè)濺鍍?cè)春突寰惭b遮板。

  • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。

  • 結(jié)合離子源、熱蒸發(fā)源,電子束...等等。

  • 基板射頻或直流偏壓。

  • 膜厚監(jiān)測(cè)儀。

  • 射頻等離子清潔用於基材。

  • OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。



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